Cypress Semiconductor F-RAM Excelon-LP系列

2019-03-14 00:36:48
Cypress Semiconductor

Cypress Semiconductor F-RAM Excelon-LP系列

Cypress Semiconductor F-RAM Excelon-LP系列是采用先进铁电工艺的低功耗、4Mbit非易失性存储器。铁电随机存取存储器 (F-RAM) 是非易失性存储器,可执行类似于RAM的读写操作。F-RAM的可靠数据保留期为151年。该器件可以消除串行闪存、EEPROM和其他非易失性存储器会出现的复杂性高、开销大和系统级可靠性不足问题。

FEATURES

  • 4Mbit铁电随机存取存储器 (F-RAM),逻辑组织方式为512K x 8

    • 提供了一百万亿次 (1014) 的读/写周期,几乎为无限次数的耐久性

    • 151年的数据保留期(参见第20页的数据保留和耐用性)

    • NoDelay?写入

    • 先进的高可靠性铁电工艺

  • 快速串行外设接口 (SPI)

    • 高达50MHz频率

    • 支持SPI模式0 (0, 0) 和模式3 (1, 1)

  • 复杂的写入保护方案

    • 使用写保护 (WP) 引脚进行硬件保护

    • 使用写禁用 (WRDI) 指令进行软件保护

    • 用于1/4、1/2或整个阵列的软件块保护

  • 设备ID和序列号

    • 设备ID包含制造商ID和产品ID

    • 唯一ID

    • 序列号

  • 专用256字节特殊扇区F-RAM

    • 专用特殊扇区写入和读取操作

    • 存储的内容可以在最多3个标准回流焊周期内保持不变

  • 低功耗

    • 频率为40MHz时,有效电流为2.4mA(典型值)

    • 待机电流:2.3μA(典型值)

    • 0.70μA(典型值) 深度掉电模式电流为0.70μA(典型值)

    • 0.1μA(典型值) 休眠模式电流为0.1μA(典型值)

  • 低电压工作

    • CY15V104QN:VDD?= 1.71V至1.89V

    • CY15B104QN:VDD?= 1.8V至3.6V

  • 商业级和工业级工作温度

    • 商业级工作温度:0°C至+70°C

    • 工业级工作温度:-40°C至+85°C

  • 封装

    • 8引脚小外形集成电路 (SOIC) 封装

    • 8引脚栅格阵列四方扁平无引线 (GQFN) 封装

  • 符合有害物质限制 (RoHS) 指令

框图

Block Diagram - Cypress Semiconductor F-RAM Excelon-LP系列


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